5月21日下午，中国科学院过程工程研究所韩宁研究员应邀来amjs澳金沙门线路首页交流访问，并在博逸楼401会议室为师生作了题为《催化剂分子外延法合成高性能III-V族半导体纳米线》的学术报告。报告会由院长滕冰教授主持。
在报告中，韩宁详尽介绍了利用催化剂分子外延法制备并调控GaAs、GaSb纳米线的尺寸、缺陷、取向等微观结构，并获得了高光电转换效率的GaAs纳米线及高空穴迁移率的p型GaSb纳米线的有关情况，从方法上解决了当前III-V族半导体纳米线存在的一系列问题。报告结束后，韩宁详细回答了在场师生提出的有关催化剂的选择和未来催化剂分子外延法合成纳米线的应用前景等问题。
韩宁研究员是中国科学院“百人计划”入选者。目前主要从事氧化物及III-V半导体纳米材料的合成、表征及其在传感器、电子器件、光伏转化等领域的应用研究。在Nature Communications，Advanced Materials，ACS Nano等杂志累计发表学术论文80余篇，其中影响因子大于10的一作及通讯作者文章7篇。主持多项研究项目，其中包括国家重点研发计划子课题一项、国家自然科学基金一项、多项北京市、中科院及横向课题。
